ДОСЛІДЖЕННЯ ФОТОДЕСТРУКЦІЇ КЛАТРОХЕЛАТІВ ЗАЛІЗА(ІІ)

Петренко П.П., Іваненко І.І., Василенко В.В.

Неструктурна лабораторія макроциклічних сполук і гібридних структур

petrenko@ionc.kiev.ua

Дослідження фотодеструкції клатрохелатів перехідних металів має як теоретичне [1], так і прикладне [2,3] значення. Метою даної роботи…

Таблиця. Квантовий вихід процесів деструкції (%)

Процес	Fe(LI)	Fe(LIІ)	Fe(LIІІ)	Fe(LIV)
І	0,12	0,45	0,90	1,25
ІІ	0,02	0,10	0,25	0,56
ІІІ	5,23	4,56	2,99	1,55

Рисунок. Структура клатрохелата Fe(LIV).

Квантовий вихід — число, яке вказує на те, скільки бажаних подій відбувається при поглинанні речовиною одного фотона (кванта світла). Зокрема, квантовий вихід фотохімічної реакції — це ймовірність того, що поглинання фотона призведе до хімічного перетворення речовини, яку можна записати у вигляді формули:

(1)

де Na – кількість молекул (чи атомів, радикалів, йонів), з якими відбулися перетворення, Nq – кількість квантів світла, що їх поглинула речовина.

Перелік посилань

Костромина Н.А., Волошин Я.З., Назаренко А.Ю. Клатрохелаты: синтез, строение, свойства. К.: Наукова думка, 1992.

Іваненко І.І., Петренко П.П. Фотодеструкція трис-діоксиматних клатрохелатів заліза(ІІ) // Укр. хим. журн. – 2015. – Т. 81, № 12. – С. 121.

Johnson P. Theoretical description of photodestruction of cobalt clathrochelate complexes // J. Am. Chem. Soc. – 2015. – Vol. 137. – P. 16225.

Title/Назва/Название

Synthesis and Properties of Doped Barium Titanate with High Dielectric Permittivity

Синтез и свойства легированного титаната бария с высокой диэлектрической проницаемостью

Синтез і властивості легованого титанату барію з високою діелектричною проникністю

Authors/Автори/Авторы

Reshytko Borys Anatoliiovych/Решитько Борис Анатолієвич/Решитько Борис Анатолиевич

V’yunov Oleg Ivanovich/В’юнов Олег Іванович/Вьюнов Олег Иванович

Keywords/Ключевые Слова/Ключові Слова

high dielectric permittivity

ferroelectric polarization

interface metal-dielectric

grain boundaries

hopping conduction

висока діелектрична проникність

сегнетоелектрична поляризація

інтерфейс метал-діелектрик

границі зерен

стрибкова провідність

высокая диэлектрическая проницаемость

сегнетоэлектрическая поляризация

интерфейсы металл-диэлектрик

границы зёрен

прыжковая проводимость

Short Abstract/Краткий Реферат/Короткий Реферат

Dielectric and semiconductor BaTiO3 ceramic samples have been synthesized and their electrical and physical properties have been studied. It have been shown that the semiconductor ceramic samples of barium titanate are characterized by a high values of dielectric permittivity, which significantly higher in comparison with dielectric samples due to the formation of additional polarization at the grain boundaries and metal-dielectric transitions.

Були синтезовані зразки діелектричного та напівпровідникового BaTiO3 та вивчені їх сегнетоелектричні властивості. Показано, що напівпровідникові керамічні зразки титанату барію характеризуються високими значеннями діелектричної проникності, які значно більше в порівнянні з діелектричним зразком за рахунок утворення додаткової поляризації на ґраницях зерен та переходів метал-діелектрик.

Синтезированные образцы диэлектрического и полупроводникового BaTiO3 и изучены их сегнетоэлектрические свойства. Показано, что полупроводниковые керамические образцы титаната бария характеризуются высокими значениями диэлектрической проницаемости, которая значительно больше по сравнению с диэлектрическим образцом из-за образования дополнительной поляризации на границах зерен и перехода металл-диэлектрик.

Вимоги до оформлення

Рекомендований обсяг - 1 сторінка формату А4, орієнтація – книжкова. За необхідності обсяг тез можна збільшити до 2 повних сторінок. Сторінки не нумеруються.

Мова - українська, російська або англійська.

Поля - всі по 2 см.

Шрифт - Times New Roman, розмір шрифту - 14 ppt.

Інтервал - одинарний.

Структура заголовку тез: назва доповіді (великими літерами, напівжирним шрифтом, вирівнювання - по центру), порожній рядок, по центру з наступного рядку - прізвище та ініціали авторів доповіді (доповідач підкреслюється), по центру з наступного рядку курсивом - назва підрозділу інституту (відділ або лабораторія), по центру з наступного рядку - електронна адреса доповідача, порожній рядок.

Структура тексту тез: абзац - 1,25 см, вирівнювання - по ширині.

Після тез наводяться ключові слова (3-5) та короткий реферат (2-3 речення) англійською, українською та російською.

За необхідності в кінці тексту через один порожній рядок та після слів "Перелік посилань" (напівжирним шрифтом) наводиться перелік цитованої літератури у порядку згадування в тексті (приклад оформлення наведено у шаблоні тез).

Складні формули розміщуються в окремому рядку, вирівнювання - по центру, за необхідності формули нумеруються цифрами у дужках.

Рисунки, таблиці та формули не повинні виходити за межі полів сторінки і оформлюються відповідно до прикладів, наведених у шаблоні тез.

Формат документу - MS Word (.doc) – рекомендується, (.docx) – допустимий.

Template of Abstract and Guidelines

Conference of Young Scientist

Oleg

2017-10-20

IGIC NASU